Mitsubishi Electric Develops SBD-embedde...

Nijkerk - 22 september 2023 Door: Nijkerk Electronics Mitsubishi Electric announced that it has developed a new structure for a silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (SiC-MOSFET) embedded with a Schottky barrier diode (SBD), which the company has applied in a 3.3 kV full SiC power...

Lees het volledige artikel bij FHI.

Laat dit artikel viral gaan in Nijkerk, deel het met je vrienden!

Auteur

Foto van Redactie deNijkerkgids.nl
Redactie deNijkerkgids.nl

Nieuws door FHI. Lees het volledige artikel op hun website.

  1. Extern
  2. Mitsubishi Electric Develops SBD-embedde…

Gerelateerde berichten